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专利技术来自于西安理工自动化与信息工程学院;代理方:西安远诺技术转移有限公司-薛老师15249297273
【 中文摘要 】本发明公开了一种基于TSV的宽带双频Wilkinson功分器,包括第一阶TSV电感组件,第一阶TSV电感组件通过第一阶电容组件连接第二阶TSV电感组件,第二阶电感组件还连接第二阶电容组件。本发明提供的结构既能减小功分器的面积,同时又提高了功分器的紧凑性。
【 英文摘要 】The invention discloses a broadband dual-frequency Wilkinson power divider based on a TSV (Through Silicon Via). The broadband dual-frequency Wilkinson power divider comprises a first-order TSV inductor component, wherein the first-order TSV inductor component is connected with a second-order TSV inductor component through a first-order capacitor component; and the second-order inductor component is also connected with a second-order capacitor component. The structure provided by the invention not only can reduce the area of the power divider, but also can improve the compactness of the power divider.
机械设备 | 其它机械设备类 | 分频器;功率合成系统;天线阵列系统;混频器系统 |
技术功效句 | 减小尺寸; 因此它不需要像二维平面结构电感器那样使用图案化接地屏蔽技术来降低电磁干扰; 进一步实现高集成度的三维叠层封装; 降低功耗; 且它具有较高的自谐振频率; 减小信号的延迟 |
技术功效短语 | 减小尺寸; 降低电磁干扰; 实现三维叠层封装; 降低功耗; 屏蔽技术来; 频率高; 减小信号 |
技术功效1级 | 尺寸; 干扰; 封装; 功耗; 屏蔽; 频率; 信号 |
技术功效2级 | 尺寸降低; 干扰降低; 封装; 功耗降低; 屏蔽; 频率提高; 信号降低 |
技术功效3级 | 尺寸降低; 电磁干扰降低; 实现三维叠层封装; 功耗降低; 技术屏蔽; 频率提高; 信号降低 |
技术功效TRIZ参数 | 03-长度;30-作用于物体的有害因素;19-能耗; |
主分类号 |
|
IPC分类号 | |
CPC分类号 | Y02D30/70; |
2021-12-24
申请日
CN202111601953.X(当前专利)
申请号
2022-04-12
首次公开日
CN114335959A
首次公开号
2023-06-23
授权公告日
CN114335959B(当前专利)
授权公告号
2041-12-24
预估到期日
计算因素
代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 |
代理人 | 许志蛟 |
申请语言 | 汉语 |
审查员 | 张露 |
1.基于TSV的宽带双频Wilkinson功分器,其特征在于:包括第一阶TSV电感组件,第一阶TSV电感组件通过第一阶电容组件连接第二阶TSV电感组件,第二阶TSV电感组件还连接第二阶电容组件;
所述第一阶TSV电感组件包括并联设置的TSV电感L1和TSV电感L2;
第一阶电容组件包括隔离电容C1和隔离电容C2;TSV电感L1和TSV电感L2的一端连接隔离电容C1,TSV电感L1和TSV电感L2的另一端依次连接隔离电容C2和隔离电阻R1;
所述第二阶TSV电感组件包括并联设置的TSV电感L3和TSV电感L4;
第二阶电容组件包括隔离电容C3和隔离电容C4;TSV电感L3和TSV电感L4的一端连接隔离电容C3,TSV电感L3和TSV电感L4的另一端依次连接隔离电容C4和隔离电阻R2;
所述TSV电感L1、TSV电感L2、TSV电感L3及TSV电感L4的结构相同,均包括若干个TSV,各TSV的上端通过上层RDL依次首尾相接,各TSV的下端通过下层RDL依次首尾相接;
各所述TSV电感均呈螺旋状绕制。
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