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  • 一种可调三维集成电容器及电容调节方法
一种可调三维集成电容器及电容调节方法 授权有效中;
  • 专利(申请)号: CN202010305533.6
  • 专利类型: 发明;
  • 主分类: H电学;
  • 产业领域: 电气元件;电容器
  • 专利来源: 高校;
  • 申请日: 2020-04-17
  • 原始申请人: 西安理工大学
  • 当前专利权人: 西安理工大学
  • 交易方式: 转让; 许可;
  • 其他交易方式:
  • 参考价格(元): ¥面议
  • 联系方式: 李老师13998447730

专利技术来自于西安理工自动化与信息工程学院;代理方:西安远诺技术转移有限公司-薛老师15249297273

摘要

【 中文摘要 】本发明公开了一种可调三维集成电容器,包括多个三维集成电容、多个TSV垂直开关a、多个TSV垂直开关b,相邻两个三维集成电容之间设置一个TSV垂直开关a和一个TSV垂直开关b,每个TSV垂直开关a漏极连接上一个三维集成电容下极板,源极连接下一个三维集成电容上极板,每个TSV垂直开关b源极连接上一个三维集成电容上极板,漏极连接下一个三维集成电容下极板;与二维平面电容器相比,三维集成电容器具有较大的电容密度,较小的对地寄生电容参数;利用TSV垂直开关的栅极电压的变化会引起TSV垂直开关的打开与关断,从而实现对N+1个三维集成电容器是否并联和几个三维集成电容器并联的控制。

【 英文摘要 】The invention discloses an adjustable three-dimensional integrated capacitor. The capacitor comprises a plurality of three-dimensional integrated capacitors, a plurality of TSV vertical switches a anda plurality of TSV vertical switches b; a TSV vertical switch a and a TSV vertical switch b are arranged between two adjacent three-dimensional integrated capacitors; the drain electrode of each TSVvertical switch a is connected with the lower polar plate of the previous three-dimensional integrated capacitor, and the source electrode of each TSV vertical switch a is connected with the upper polar plate of the next three-dimensional integrated capacitor; the source electrode of each TSV vertical switch b is connected with the upper polar plate of the previous three-dimensional integrated capacitor, and the drain electrode is connected with the lower polar plate of the next three-dimensional integrated capacitor. Compared with a two-dimensional planar capacitor, the three-dimensional integrated capacitor has relatively large capacitance density and relatively small parasitic capacitance parameters to the ground; the change of the grid voltage of the TSV vertical switches can cause theswitching-on and switching-off of the TSV vertical switches, thereby achieving the control of whether N + 1 three-dimensional integrated capacitors are connected in parallel or not and the parallel connection of a plurality of three-dimensional integrated capacitors.

技术摘要(来自于incoPat)

【 用途 】

元器件电容器可调式三维集成电容器

【 技术功效 】

技术功效句从而实现对N+1个三维集成电容器是否并联和几个三维集成电容器并联的控制; 三维集成电容器具有较大的电容密度; 较小的对地寄生电容参数
技术功效短语实现并联; 实现容器是否并联; 密度大; 较小对地; 实现个容器
技术功效1级并联; 密度; 对地; 容器
技术功效2级并联; 密度提高; 对地降低; 容器
技术功效3级实现并联; 实现容器并联; 密度提高; 对地降低; 实现容器

分类号

【技术分类】

主分类号

H01G4/38;

  • H 电学

  • H01

    电气元件

  • H01G

    电容器;电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件(电介质专用材料的选择入H01B3/00;电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L29/00)

  • H01G4/00

    固定电容器;及其制造方法(电解电容器入H01G9/00)[2006.01]

  • *H01G4/38

    多联电容器,即固定电容器的结构组合[2006.01]

IPC分类号
CPC分类号H01G4/38;

【行业分类】

国民经济行业分类

制造业

国民经济行业(主)

制造业

知识密集型分类

信息通信技术制造业新装备制造业新材料制造业

学科分类

工程

清洁能源产业

风能产业太阳能产业智能电网产业

清洁生产产业

清洁生产原料制造业

数字经济核心产业

数字产品制造业

专利历程

  • 2020-04-17

    申请日

    CN202010305533.6(当前专利)

    申请号

  • 2020-07-31

    首次公开日

    CN111477456A

    首次公开号

  • 2021-11-16

    授权公告日

    CN111477456B(当前专利)

    授权公告号

  • 2040-04-17

    预估到期日

    计算因素

代理机构西安弘理专利事务所 61214
代理人韩玙
申请语言汉语
审查员李慧

权利要求

1.一种可调三维集成电容器,特征在于,包括多个三维集成电容(2)、多个TSV垂直开关a(4)、多个TSV垂直开关b(3),相邻两个所述三维集成电容(2)之间设置一个TSV垂直开关a(4)和一个TSV垂直开关b(3),每个所述TSV垂直开关a(4)漏极连接上一个三维集成电容(2)下极板,每个所述TSV垂直开关a(4)源极连接下一个三维集成电容(2)上极板,每个所述TSV垂直开关b(3)源极连接上一个三维集成电容(2)上极板,每个所述TSV垂直开关b(3)漏极连接下一个三维集成电容(2)下极板,每个所述三维集成电容(2)上极板、TSV垂直开关a(4)源极、TSV垂直开关b(3)源极连接同一上布线层(6),每个所述三维集成电容(2)下极板、TSV垂直开关a(4)漏极、TSV垂直开关b(3)漏极连接同一下布线层(7);
还包括输入端(1)、输出端(5),所述输入端(1)连接第一个三维集成电容(2)上极板,所述输出端(5)连接第一个三维集成电容(2)下极板;
所述三维集成电容(2)为N+1个,所述TSV垂直开关a(3)与TSV垂直开关b(4)均为N个,N是不小于1的整数;
所述上布线层(6)、下布线层(7)采用的是铜或铝。

2.一种可调三维集成电容器的电容调节方法,特征在于,使用权利要求1所述一种可调三维集成电容器,具体操作方法为:将该可调三维集成电容器的输入端(1)、输出端(5)分别接到待控制电容的器件上,随后控制接入电路的多个三维电容个数,实现电容的调节;所述控制接入电路的多个三维电容个数过程为:控制每个三维电容的TSV垂直开关a(3)、TSV垂直开关b(4),当TSV垂直开关a(3)、TSV垂直开关b(4)同时接通,则该三维电容接入电路,否则,该三维电容未接入电路。

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