欢迎访问西安知识产权运营服务平台

< a href=' '>web对话
  • 基于TSV垂直开关的惠斯通电桥可变电感器
基于TSV垂直开关的惠斯通电桥可变电感器 授权有效中;
  • 专利(申请)号: CN201910574745.1
  • 专利类型: 发明;
  • 主分类: H电学;
  • 产业领域: 电子元件
  • 专利来源: 高校;
  • 申请日: 2019-06-28
  • 原始申请人: 西安理工大学
  • 当前专利权人: 西安理工大学
  • 交易方式: 转让; 许可;
  • 其他交易方式:
  • 参考价格(元): ¥面议
  • 联系方式: 李老师13998447730

专利技术来自于西安理工自动化与信息工程学院;代理方:西安远诺技术转移有限公司-薛老师15249297273

摘要

【 中文摘要 】本发明公开了一种基于TSV垂直开关的惠斯通电桥可变电感器,包括顶部介质层a、中间硅衬底层和底部介质层b,硅衬底层中央设置有TSV垂直开关,TSV垂直开关具有漏极、栅极和源极,通过给栅极‑源极和漏极‑源极加不同的电压,可控制TSV垂直开关的通断,TSV垂直开关相对两侧的硅衬底层上分别设置有两排交错的硅通孔阵列,四排硅通孔通过金属线交替连接形成惠斯通电桥的四个桥臂,分别为电感L1、电感L2、电感L3和电感L4,电感L2和电感L3的一侧通过顶部金属线h相连通,电感L2和电感L3的另一侧通过顶部金属线i相连通,金属线h上引出有电感器输入端,金属线i上引出有电感器输出端。

【 英文摘要 】The invention discloses a wheatstone bridge variable inductor based on a TSV vertical switch. The wheatstone bridge variable inductor comprises a top dielectric layer a, a middle silicon substrate layer and a bottom dielectric layer b, wherein the TSV vertical switch is arranged in the center of the silicon substrate layer; the TSV vertical switch has a drain electrode, a grid electrode and a source electrode; by applying different voltages to the grid electrode-source electrode and the drain electrode-source electrode, the on-off of the TSV vertical switch can be controlled; two rows of staggered silicon through hole arrays are arranged on the silicon substrate layer on the two opposite sides of the TSV vertical switch respectively, the four rows of silicon through holes are alternately connected through metal wires to form four bridge arms of the wheatstone bridge, wherein the four bridge arms are an inductor L1, an inductor L2, an inductor L3 and an inductor L4 respectively; one side of the inductor L2 and one side of the inductor L3 are communicated through a top metal wire h, the other side of the inductor L2 and the other side of the inductor L3 are communicated through a topmetal wire I; an inductor input end is led out from the metal wire h, and an inductor output end is led out from the metal wire i.

技术摘要(来自于incoPat)

【 用途 】

元器件开关硅通孔垂直开关

【 技术功效 】

技术功效句节约了电感器的体积和制作成本; 损耗低; 占用芯片面积小; 并且节约了制作成本; 使用灵活; 满足了三维集成电路可调谐可配置的发展需求; 提高了器件的利用率; 可以实现对源极和漏极之间导电沟道的控制
技术功效短语节约制作成本; 损耗低; 芯片面积小; 使用灵活; 节约电感器体积; 满足发展需求; 提高器件利用率; 实现导电沟道控制
技术功效1级成本; 损耗; 面积; 灵活性; 体积; 发展; 利用率; 可控性
技术功效2级成本降低; 损耗降低; 面积降低; 灵活性提高; 体积降低; 发展; 利用率提高; 可控性
技术功效3级制作成本降低; 损耗降低; 芯片面积降低; 使用灵活性提高; 电感器体积降低; 满足需求发展; 器件利用率提高; 实现导电沟道可控性
技术功效TRIZ参数39-生产率;23-物质损失;05-面积;35-适应性、通用性;07-体积;37-控制与测量的复杂性;

分类号

【技术分类】

主分类号

H01L23/522;

  • H 电学

  • H01

    电气元件

  • H01L

    不包括在H10类目中的半导体器件(使用半导体器件的测量入G01;一般电阻器入H01C;磁体、电感器、变压器入H01F;一般电容器入H01G;电解型器件入H01G9/00;电池组、蓄电池入H01M;波导管、谐振器或波导型线路入H01P;线路连接器、汇流器入H01R;受激发射器件入H01S;机电谐振器入H03H;扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R;一般电光源入H05B;印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K;在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类)

  • H01L23/00

    半导体或其他固态器件的零部件(H01L25/00优先)〔2,5〕

  • *H01L23/52

    用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置[2006.01]

  • **H01L23/522

    包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的[2006.01]

IPC分类号
CPC分类号H01L23/5227;

【行业分类】

国民经济行业分类

制造业

国民经济行业(主)

制造业

新兴产业分类

电子核心产业

新兴产业(主)

电子核心产业

知识密集型分类

信息通信技术制造业新装备制造业新材料制造业

学科分类

工程

清洁能源产业

风能产业太阳能产业水力发电产业智能电网产业

数字经济核心产业

数字产品制造业数字技术应用业数字要素驱动业

专利历程

  • 2019-06-28

    申请日

    CN201910574745.1(当前专利)

    申请号

  • 2019-10-18

    首次公开日

    CN110349936A

    首次公开号

  • 2021-06-15

    授权公告日

    CN110349936B(当前专利)

    授权公告号

  • 2039-06-28

    预估到期日

    计算因素

代理机构西安弘理专利事务所 61214
代理人杜娟
申请语言汉语
审查员薛源

权利要求


×
发送意向

申请须知:申请人无需注册账号即可提交交易意向,交易意向一经提交不可查询或更改,请准确填写相关信息;平台运营人员将在3-5个工作日内查看交易意向并与您联系,感谢阅读。