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陕西半导体先导技术中心成立于2017年5月,为适应国家产业发展战略需求,按企业化运营模式而成立的共性企业研发平台。主要致力于加快半导体前沿关键技术研发创新,推动以先进半导体器件和第三代半导体为核心的产业创新,服务于中国先进半导体的技术创新和成果转化。并建立半导体技术人才实习与培养的新一代体系,最终成为国家级半导体产业新技术和新工艺的推广转化基地。
【 中文摘要 】本发明公开了一种碳化硅环状电极PIN型核电池及其制作方法,主要解决现有技术中制作碳化硅PIN结核电池转化效率低的问题。本发明自上而下依次包括放射性同位素源层(1)、SiO2钝化层(3)、SiO2致密绝缘层(2)、p型欧姆接触电极(4)、掺杂浓度为1×1019~5×1019cm-3的p型SiC外延层(5)、掺杂浓度为1×1015~5×1015cm-3的n型SiC外延层(6)、掺杂浓度为1×1018~7×1018cm-3的n型SiC衬底(7)和n型欧姆接触电极(8)。该p型欧姆接触电极(4)采用中心为一个圆环,周围是以该中心为圆心的多个圆环结构,环间由多个矩形条相连,环的外围留有多个引脚,同位素源层(1)覆盖在p型欧姆接触电极(4)的表面。本发明具有能量转换效率高的优点,可作为MEMS片上电源、心脏起搏器电源和手机备用电源。
【 英文摘要 】The invention discloses a SiC ring electrode PIN-type nuclear battery and a manufacturing method thereof, which are mainly used for solving the problem that the conversion efficiency of the SiC PIN-junction battery in the prior art is lower. The SiC ring electrode PIN-type nuclear battery comprises a radioactive isotope source layer (1), a SiO2 passivation layer (3), a SiO2 compact insulation layer (2), a p-type ohmic contact electrode (4), a p-type SiC epitaxial layer (5) with the doping concentration of 1*1019-5*1019cm<-3>, an n-type SiC epitaxial layer (6) with the doping concentration of 1*1015-5*1015cm<-3>, an n-type SiC substrate (7) with the doping concentration of 1*1018-7*1018cm<-3> and an n-type ohmic contact electrode (8). A plurality of ring structures the centers of which arerings and the peripheries of which take the centers as circle centers are adopted in the p-type ohmic contact electrode, the rings are connected through a plurality of rectangular strips, a pluralityof pins are reserved on the peripheries of the rings, and the isotope source layer (1) covers the surface of the p-type ohmic contact electrode (4). The SiC ring electrode PIN-type nuclear battery has the advantage of high energy conversion efficiency and can be used as an MEMS (Micro-electromechanical System) on-chip power supply, a cardiac pacemaker power supply and a mobilephone standby power supply.
元器件 | 芯片 | 微机电系统芯片 |
电力动力 | 电池 | 碳化硅环形电极针式核电池 |
电子电器 | 电话 | 手机 |
技术功效句 | 避免了载流子的复合; 有效降低了外延层对入射粒子的阻挡作用; 能有效的提高能量转换效率; 提高了核电池的能量转换效率; 故价格便宜且外延层的生长工艺成熟; 操作简单 |
技术功效短语 | 避免载复合; 降低阻挡作用; 提高能量; 提高转换效率; 生长工艺成熟; 操作简单; 价格便宜 |
技术功效1级 | 复合; 阻挡; 能量; 效率; 成熟; 复杂性; 成本 |
技术功效2级 | 复合避免; 阻挡降低; 能量提高; 效率提高; 成熟; 复杂性降低; 成本降低 |
技术功效3级 | 载复合避免; 作用阻挡降低; 能量提高; 转换效率提高; 生长工艺成熟; 操作复杂性降低; 价格成本降低 |
技术功效TRIZ参数 | 19-能耗;39-生产率;36-系统的复杂性; |
主分类号 |
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IPC分类号 |
2011-06-30
申请日
CN201110182479.1(当前专利)
申请号
2011-11-23
首次公开日
CN102254581A
首次公开号
2013-09-25
授权公告日
CN102254581B(当前专利)
授权公告号
2031-06-30
预估到期日
计算因素
代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 |
代理人 | 王品华; 朱红星 |
申请语言 | 汉语 |
审查员 | 叶红学 |
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