陕西半导体先导技术中心
陕西半导体先导技术中心成立于2017年5月，为适应国家产业发展战略需求，按企业化运营模式而成立的共性企业研发平台。主要致力于加快半导体前沿关键技术研发创新，推动以先进半导体器件和第三代半导体为核心的产业创新，服务于中国先进半导体的技术创新和成果转化。并建立半导体技术人才实习与培养的新一代体系，最终成为国家级半导体产业新技术和新工艺的推广转化基地。
摘要
【 中文摘要 】本发明公布了一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法。具体步骤是：(1)检查器件外观，获取表面完好的器件；(2)“两线法”测量器件阈值电压；(3)判定是否存在其它损坏，去除内部存在其它损坏的器件；(4)“三线法”测量器件阈值电压；(5)判定栅内引线是否脱落。本发明采用“两线法”和“三线法”，对增强型功率MOS器件的阈值电压进行测量，根据测量结果，判定增强型功率MOS器件栅内引线是否脱落。本发明具有操作简便，测量耗时短、成本低、效率高的优点。
【 英文摘要 】The invention discloses a detection method for the falling-off of in-grid lead wires of enhanced type power MOS (Metal Oxide Semiconductor) devices. The detection method comprises the specific steps of (1) detecting the appearance of devices to obtain devices with complete surfaces; (2) measuring threshold voltage of the devices by a two-line method; (3) judging whether other damages exist or not and removing devices with other inner damages; (3) measuring threshold voltage of the remained devices by a three-line method; and (5) judging whether in-grid lead wires fall off or not. The detection method disclosed by the invention adopts the two-line method and the three-line method to measure the threshold voltage of the enhanced type power MOS devices, and whether the in-grid lead wires of the enhanced type power MOS devices fall off or not is judged according to a measured result. The detection method disclosed by the invention has the advantages of simplicity in operation, short measurement time, low cost and high efficiency.
【 用途 】
| 元器件 | 其它元器件 | 增强型功率mos器件 |
| 测量实验 | 检测方法 | 栅道引线脱落检测方法 |
【 技术功效 】
| 技术功效句 | 经济价值高的优点; 使得本发明具有测量成本低; 使得本发明具有测量耗时短、效率高的优点; 克服现有技术中工作量大; 使得本发明具有操作简便的优点 |
| 技术功效短语 | 经济价值高; 测量成本低; 经济价值; 效率高; 测量短; 克服工作量大; 操作简便 |
| 技术功效1级 | 价值; 成本; 经济性; 效率; 可测量度; 劳动强度; 便利性 |
| 技术功效2级 | 价值提高; 成本降低; 经济性提高; 效率提高; 可测量度降低; 劳动强度避免; 便利性提高 |
| 技术功效3级 | 经济价值提高; 测量成本降低; 价值经济性提高; 效率提高; 可测量度降低; 大劳动强度避免; 操作便利性提高 |
| 技术功效TRIZ参数 | 39-生产率;37-控制与测量的复杂性;33-操作流程的方便性; |
【技术分类】
| 主分类号 | G01R31/02; G 物理 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J3/12） G01R31/00 电性能的测试装置；电故障的探测装置；以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置；在制造过程中测试或测量半导体或固体器件入H01L21/66；线路传输系统的测试入H04B3/46）〔1，2006.01〕 *G01R31/02 对电设备、线路或元件进行短路、断路、泄漏或不正确连接的测试
|
| IPC分类号 | |
【行业分类】
| 国民经济行业分类 | 制造业 |
| 国民经济行业(主) | 制造业 |
| 知识密集型分类 | 新装备制造业 |
| 学科分类 | 工程 |
| 清洁能源产业 | 核电产业风能产业太阳能产业生物质能产业水力发电产业智能电网产业其他清洁能源产业 |
| 数字经济核心产业 | 数字产品制造业 |
CN201310391190.X(当前专利)
申请号
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 61205 |
| 代理人 | 田文英; 王品华 |
| 申请语言 | 汉语 |
| 审查员 | 全先荣 |
权利要求
1. 一种增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法,包括以下步骤：
(1)检查器件外观：
检查待测增强型功率MOS器件的外观，观察该增强型功率MOS器件表面是否存在物理性损坏，去除表面存在物理性损坏的增强型功率MOS器件，获得表面完好的增强型功率MOS器件；
(2)“两线法”测量器件阈值电压：
对表面完好的增强型功率MOS器件，采用“两线法”，测量该待测增强型功率MOS器件的阈值电压；
所述的“两线法”是指，将待测增强型功率MOS器件的源极接地，栅极和漏极接电源，将源漏电流的绝对值达到250uA时测得的电源电压，作为该待测增强型功率MOS器件的阈值电压；
(3)判定是否存在其它损坏：
如果“两线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则判定该增强型功率MOS器件内部存在其它损坏，去除内部存在其它损坏的增强型功率MOS器件；如果“两线法”测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则执行步骤(4)；
(4)“三线法”测量器件阈值电压：
对“两线法”测出阈值电压的增强型功率MOS器件，采用“三线法”，测量该待测增强型功率MOS器件的阈值电压；
所述的“三线法”是指，将待测增强型功率MOS器件源极接地，漏极固定10mV电压，栅极接电源，将源漏电流的绝对值达到250uA时测得的电源电压，作为该待测增强型功率MOS器件的阈值电压；
(5)判定栅内引线是否脱落：
如果“三线法”测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则判定该待测增强型功率MOS器件栅内引线正常；如果“三线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压，则判定该待测增强型功率MOS器件栅内引线脱落。
2. 2.根据权利要求1所述的增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法，其特征在于，步骤(3)中所述的“两线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压是指，在该增强型功率MOS器件允许的栅极电压范围内，采用“两线法”测量该器件的阈值电压时，源漏电流的绝对值始终小于250uA。
3.根据权利要求1所述的增强型功率MOS器件栅内引线脱落的检测方法，其特征在于，步骤(5)中所述的“三线法”未测出该待测增强型功率MOS器件的阈值电压是指，在该增强型功率MOS器件允许的栅极电压范围内，采用“三线法”测量该器件的阈值电压时，源漏电流的绝对值始终小于250uA。
