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摘要
【 中文摘要 】
本发明涉及一种具备结温监测能力的GaN智能功率芯片，包括：二维电子气结构、第一隔离凹槽、第二隔离凹槽、横向功率器件、欧姆接触结构、温度传感器二极管，其中，第一隔离凹槽和第二隔离凹槽设置在二维电子气结构中，将二维电子气结构中的二维电子气沟道隔断，使二维电子气结构形成依次横向设置的功率器件区域、欧姆接触电阻区域和温度传感器区域；横向功率器件设置在功率器件区域，欧姆接触结构设置在欧姆接触电阻区域，温度传感器二极管设置在温度传感器区域；温度传感器二极管与欧姆接触结构级联以形成温度监测电路。该GaN智能功率芯片具有响应速度快、灵敏度高、线性度好、集成度高、功耗损耗低、寄生效应小的优势。
【 英文摘要 】
The invention relates to a GaN intelligent power chip with junction temperature monitoring capability Comprises a two-dimensional electron gas structure, a first isolation groove, a second isolation groove, a transverse power device, an ohmic contact structure, and a temperature sensor diode Wherein, the first isolation groove and the second isolation groove are arranged in the two-dimensional electron gas structure to isolate the two-dimensional electron gas channel in the two-dimensional electron gas structure, so that the two-dimensional electron gas structure forms a power device area, an ohmic contact resistance area and a temperature sensor area that are arranged transversely in sequence; the transverse power device is set in the power device area, the ohmic contact structure is set in the ohmic contact resistance area, and the temperature sensor diode is set in the temperature sensor area; a temperature sensor diode is cascaded with an ohmic contact structure to form a temperature monitoring circuit The GaN intelligent power chip has the advantages of high response speed, high sensitivity, good linearity, high integration level, low power consumption loss and small parasitic effect.
技术摘要（来自于incoPat）
【 技术功效 】
| 技术功效句 | 该GaN智能功率芯片具有响应速度快、灵敏度高、线性度好、集成度高、功耗损耗低、寄生效应小的优势; 提高了对HEMT温度监测的响应速度; 极大提升了温度传感功能部分的温度灵敏度 |
| 技术功效短语 | 功耗损耗低; 智能该功率; 灵敏度高; 提高响应速度; 集成度高; 提升温度灵敏度; 线性度好; 响应快 |
| 技术功效1级 | 损耗; 智能化; 灵敏度; 速度; 集成度; 线性度 |
| 技术功效2级 | 损耗降低; 智能化提高; 灵敏度提高; 速度提高; 集成度提高; 线性度好 |
| 技术功效3级 | 功耗损耗降低; 功率智能化提高; 灵敏度提高; 响应速度提高; 集成度提高; 温度灵敏度提高; 线性度好 |
| 技术功效TRIZ参数 | 23-物质损失;28-测量精度;09-速度;36-系统的复杂性; |
分类号
其他著录项
| 代理机构 | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 |
| 代理人 | 辛菲 |
| 申请语言 | 汉语 |
| 审查员 | 易志兴 |
